casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6674TR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6674TR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6674TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6674TR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.4A (Ta), 67A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 13.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MZ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MZ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6674TR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6674TR1PBF-FT |
IRF6713STRPBF
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IRF6721STR1PBF
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XC3S2000-4FG456C
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Lattice Semiconductor Corporation
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