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Infineon Technologies IRF6662TRPBF

Name: IRF6662TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6662TRPBF
Price: 0.742456 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (294 reviews)

Numero parte MFG: IRF6662TRPBF

quantità disponibile: 47420 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.742456

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF6662TRPBF.pdf

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IRF6662TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF6662TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF6662TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6662TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.3A (Ta), 47A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / caso	DirectFET™ Isometric MZ
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6662TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF6662TRPBF-FT

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