codice articolo del costruttore | IRFZ48L |
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Numero di parte futuro | FT-IRFZ48L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFZ48L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ48L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFZ48L-FT |
SIHH068N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI8824EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8410DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8472DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SQJ422EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIJH440E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQJQ480E-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJQ402E-T1_GE3
Vishay Siliconix
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel