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codice articolo del costruttore | SIJH440E-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIJH440E-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIJH440E-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.96 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20330pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIJH440E-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIJH440E-T1-GE3-FT |
IRFZ30
Vishay Siliconix
IRFZ30PBF
Vishay Siliconix
IRFZ34
Vishay Siliconix
IRFZ40
Vishay Siliconix
IRFZ44R
Vishay Siliconix
IRFZ48R
Vishay Siliconix
IRL510
Vishay Siliconix
IRL520
Vishay Siliconix
IRL530
Vishay Siliconix
IRL540
Vishay Siliconix
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel