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Vishay Siliconix SI8410DB-T2-E1

Numero parte MFG
SI8410DB-T2-E1
quantità disponibile
31480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.403568
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI8410DB-T2-E1
Numero di parte futuro FT-SI8410DB-T2-E1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI8410DB-T2-E1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-Micro Foot (1x1)
Pacchetto / caso 4-UFBGA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8410DB-T2-E1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI8410DB-T2-E1-FT

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