casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQJQ402E-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJQ402E-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJQ402E-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJQ402E-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13500pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 8 x 8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 8 x 8 Single |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJQ402E-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJQ402E-T1_GE3-FT |
IRFZ44R
Vishay Siliconix
IRFZ48R
Vishay Siliconix
IRL510
Vishay Siliconix
IRL520
Vishay Siliconix
IRL530
Vishay Siliconix
IRL540
Vishay Siliconix
IRL620
Vishay Siliconix
IRL630
Vishay Siliconix
IRL640
Vishay Siliconix
IRLZ14
Vishay Siliconix
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation