casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFU9024NPBF
codice articolo del costruttore | IRFU9024NPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFU9024NPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU9024NPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU9024NPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFU9024NPBF-FT |
IPL65R310E6AUMA1
Infineon Technologies
IPL65R340CFDAUMA1
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IPL65R420E6AUMA1
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IPL65R460CFDAUMA1
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IPL65R660E6AUMA1
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BSZ036NE2LSATMA1
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BSZ060NE2LSATMA1
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BSZ110N08NS5ATMA1
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BSZ0902NSATMA1
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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EP3SE50F780I3
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