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Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1

Name: BSZ060NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ060NE2LSATMA1
Price: 0.230232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (510 reviews)

Numero parte MFG: BSZ060NE2LSATMA1

quantità disponibile: 46670 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.230232

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSZ060NE2LSATMA1.pdf

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BSZ060NE2LSATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSZ060NE2LSATMA1
Numero di parte futuro	FT-BSZ060NE2LSATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
BSZ060NE2LSATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.1nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	670pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 26W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ060NE2LSATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSZ060NE2LSATMA1-FT

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