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codice articolo del costruttore | BSZ110N08NS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ110N08NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ110N08NS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ110N08NS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ110N08NS5ATMA1-FT |
IPA60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R330P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R450E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R520C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R520E6XKSA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation