casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ0902NSATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ0902NSATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ0902NSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ0902NSATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0902NSATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ0902NSATMA1-FT |
IPA60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R330P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380P6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R450E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R520C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R520E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600C6XKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel