casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFU3910PBF
codice articolo del costruttore | IRFU3910PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFU3910PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU3910PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3910PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFU3910PBF-FT |
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ013NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Infineon Technologies
BSZ017NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSZ018NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ033NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel