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codice articolo del costruttore | BSZ033NE2LS5ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ033NE2LS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ033NE2LS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ033NE2LS5ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ033NE2LS5ATMA1-FT |
IPA60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R1K5CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel