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Infineon Technologies BSZ033NE2LS5ATMA1

Numero parte MFG
BSZ033NE2LS5ATMA1
quantità disponibile
85500 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.33216
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSZ033NE2LS5ATMA1
Numero di parte futuro FT-BSZ033NE2LS5ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
BSZ033NE2LS5ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ033NE2LS5ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSZ033NE2LS5ATMA1-FT

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