casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ028N04LSATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ028N04LSATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSZ028N04LSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ028N04LSATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ028N04LSATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ028N04LSATMA1-FT |
IPA60R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R750E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R1K5CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel