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codice articolo del costruttore | BSZ017NE2LS5IATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ017NE2LS5IATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ017NE2LS5IATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ017NE2LS5IATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ017NE2LS5IATMA1-FT |
IPA60R520C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R520E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R750E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation