casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFU220N
codice articolo del costruttore | IRFU220N |
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Numero di parte futuro | FT-IRFU220N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFU220N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU220N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFU220N-FT |
BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ070N08LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ084N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ0901NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0902NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ096N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ099N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel