casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ0902NSIATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ0902NSIATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSZ0902NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ0902NSIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ0902NSIATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ0902NSIATMA1-FT |
IPA80R310CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R460CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel