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Infineon Technologies IRFS4229TRLPBF

Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBF
Price: 2.207848 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (775 reviews)

Numero parte MFG: IRFS4229TRLPBF

quantità disponibile: 33350 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.207848

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFS4229TRLPBF.pdf

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IRFS4229TRLPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFS4229TRLPBF
Numero di parte futuro	FT-IRFS4229TRLPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFS4229TRLPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4560pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330W (Tc)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFS4229TRLPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFS4229TRLPBF-FT

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