casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS4115TRL7PP
codice articolo del costruttore | IRFS4115TRL7PP |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS4115TRL7PP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4115TRL7PP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 105A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 63A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5320pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 380W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4115TRL7PP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS4115TRL7PP-FT |
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
PMN52XPX
Nexperia USA Inc.
PMN55ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN55LN,135
NXP USA Inc.
PMN70EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN70XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPX
Nexperia USA Inc.
PMN80XP,115
Nexperia USA Inc.
FK3306010L
Panasonic Electronic Components
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel