casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS4115-7PPBF
codice articolo del costruttore | IRFS4115-7PPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS4115-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4115-7PPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 105A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8 mOhm @ 63A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5320pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 380W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4115-7PPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS4115-7PPBF-FT |
PMN50UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
PMN52XPX
Nexperia USA Inc.
PMN55ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN55LN,135
NXP USA Inc.
PMN70EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN70XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPX
Nexperia USA Inc.
PMN80XP,115
Nexperia USA Inc.
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel