casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS4010TRL7PP
codice articolo del costruttore | IRFS4010TRL7PP |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS4010TRL7PP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4010TRL7PP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9830pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 380W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4010TRL7PP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS4010TRL7PP-FT |
PMN50EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN50UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
PMN52XPX
Nexperia USA Inc.
PMN55ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN55LN,135
NXP USA Inc.
PMN70EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN70XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMN70XPX
Nexperia USA Inc.
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel