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Infineon Technologies IRFH6200TRPBF

Numero parte MFG
IRFH6200TRPBF
quantità disponibile
18660 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.6968
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 49A 8-PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRFH6200TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRFH6200TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRFH6200TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFH6200TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10890pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH6200TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRFH6200TRPBF-FT

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