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Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1

Name: IGT60R190D1SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R190D1SATMA1
Price: 7.017928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (415 reviews)

Numero parte MFG: IGT60R190D1SATMA1

quantità disponibile: 18040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 7.017928

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IGT60R190D1SATMA1.pdf

IGT60R190D1SATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IGT60R190D1SATMA1
Numero di parte futuro	FT-IGT60R190D1SATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolGaN™
IGT60R190D1SATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	157pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	55.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOF-8-3
Pacchetto / caso	8-PowerSFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R190D1SATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IGT60R190D1SATMA1-FT

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