casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPLU300N04S4R8XTMA1
codice articolo del costruttore | IPLU300N04S4R8XTMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPLU300N04S4R8XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPLU300N04S4R8XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.77 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 287nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22945pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 429W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-1 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPLU300N04S4R8XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPLU300N04S4R8XTMA1-FT |
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R385CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R520CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R600CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel