casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS80R2K0P7AKMA1
codice articolo del costruttore | IPS80R2K0P7AKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS80R2K0P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPS80R2K0P7AKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 940mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 24W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS80R2K0P7AKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS80R2K0P7AKMA1-FT |
IPI50R350CP
Infineon Technologies
IPI530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI600N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R165CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R250CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel