casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFH5250TRPBF
codice articolo del costruttore | IRFH5250TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFH5250TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFH5250TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7174pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5250TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFH5250TRPBF-FT |
IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R330P6FKSA1
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IPW65R019C7FKSA1
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IPW65R048CFDAFKSA1
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IPW65R125C7XKSA1
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IPW65R150CFDAFKSA1
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IPW65R190C7XKSA1
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IPW65R190CFDAFKSA1
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IPSA70R950CEAKMA1
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XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
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XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
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