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codice articolo del costruttore | IPW60R330P6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R330P6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPW60R330P6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 370µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 93W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R330P6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R330P6FKSA1-FT |
IPI45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
IPI47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
IPI47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
IPI50CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPI50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPI50R140CP
Infineon Technologies
IPI50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R350CP
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel