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codice articolo del costruttore | IPW65R125C7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R125C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPW65R125C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 8.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1670pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 101W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R125C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R125C7XKSA1-FT |
IPI50CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPI50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPI50R140CP
Infineon Technologies
IPI50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R350CP
Infineon Technologies
IPI530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI600N25N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel