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codice articolo del costruttore | IPW60R280P6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW60R280P6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPW60R280P6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 430µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R280P6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R280P6FKSA1-FT |
IPI45N06S4L08AKSA1
Infineon Technologies
IPI45P03P4L11AKSA1
Infineon Technologies
IPI47N10S33AKSA1
Infineon Technologies
IPI47N10SL26AKSA1
Infineon Technologies
IPI50CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPI50N10S3L16AKSA1
Infineon Technologies
IPI50R140CP
Infineon Technologies
IPI50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI50R299CPXKSA1
Infineon Technologies
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel