casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK7A65D(STA4,Q,M)
codice articolo del costruttore | TK7A65D(STA4,Q,M) |
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Numero di parte futuro | FT-TK7A65D(STA4,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVII |
TK7A65D(STA4,Q,M) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK7A65D(STA4,Q,M) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK7A65D(STA4,Q,M)-FT |
TK32E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3R1E04PL,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK14E65W5,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E06N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK34E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK22E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel