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Infineon Technologies IRF9910PBF

Name: IRF9910PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9910PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (185 reviews)

Numero parte MFG: IRF9910PBF

quantità disponibile: 85100 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF9910PBF.pdf

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IRF9910PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF9910PBF
Numero di parte futuro	FT-IRF9910PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF9910PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9910PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF9910PBF-FT

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