casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7105TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF7105TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7105TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7105TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7105TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7105TRPBF-FT |
BTS7904SAKSA1
Infineon Technologies
BSD840NH6327XTSA1
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BSD235NH6327XTSA1
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BSD223P
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BSD223P L6327
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XC6VLX130T-L1FFG484C
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5SGXEA7K2F40I3N
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XC4010L-5PC84C
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XC7K160T-1FB484I
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XC2VP4-5FFG672I
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XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35I3N
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EP1SGX40GF1020C6
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