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Infineon Technologies IRF7103Q

Numero parte MFG
IRF7103Q
quantità disponibile
32750 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7103Q specificazioni

codice articolo del costruttore IRF7103Q
Numero di parte futuro FT-IRF7103Q
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7103Q Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V
Potenza - Max 2.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7103Q Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7103Q-FT

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