casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / IRF7105PBF
codice articolo del costruttore | IRF7105PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7105PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7105PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7105PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7105PBF-FT |
IRLHS6376TR2PBF
Infineon Technologies
IRF3546MTRPBF
Infineon Technologies
BTS7904SAKSA1
Infineon Technologies
BSD840NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD235NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD223P
Infineon Technologies
BSD223P L6327
Infineon Technologies
BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSD235C L6327
Infineon Technologies
BSD235CH6327XTSA1
Infineon Technologies