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Infineon Technologies IRF7665S2TRPBF

Numero parte MFG
IRF7665S2TRPBF
quantità disponibile
41910 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.411984
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7665S2TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF7665S2TRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF7665S2TRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IRF7665S2TRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET SB
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric SB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7665S2TRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7665S2TRPBF-FT

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