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IXYS IXTA3N100D2HV

Name: IXTA3N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA3N100D2HV
Price: 2.39408 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (135 reviews)

Numero parte MFG: IXTA3N100D2HV

quantità disponibile: 45610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.39408

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: IXYS

Breve descrizione: - MOSFET N-CH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IXTA3N100D2HV.pdf

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IXTA3N100D2HV specificazioni

codice articolo del costruttore	IXTA3N100D2HV
Numero di parte futuro	FT-IXTA3N100D2HV
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
IXTA3N100D2HV Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263HV
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA3N100D2HV Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IXTA3N100D2HV-FT

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