casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXRFSM12N100
codice articolo del costruttore | IXRFSM12N100 |
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Numero di parte futuro | FT-IXRFSM12N100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SMPD |
IXRFSM12N100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2875pF @ 800V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 940W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SMPD |
Pacchetto / caso | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXRFSM12N100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXRFSM12N100-FT |
IXTK102N65X2
IXYS
IXTF280N055T
IXYS
IXTF250N075T
IXYS
IXTF230N085T
IXYS
IXTF200N10T
IXYS
IXTC36P15P
IXYS
IXTC280N055T
IXYS
IXTC250N075T
IXYS
IXTC240N055T
IXYS
IXTC220N075T
IXYS
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel