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IXYS-RF IXRFSM12N100

Numero parte MFG
IXRFSM12N100
quantità disponibile
87440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 19.776
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Data di spedizione
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fabbricante
IXYS-RF
Breve descrizione
SMPD 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IXRFSM12N100 specificazioni

codice articolo del costruttore IXRFSM12N100
Numero di parte futuro FT-IXRFSM12N100
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SMPD
IXRFSM12N100 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2875pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 940W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 16-SMPD
Pacchetto / caso 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXRFSM12N100 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IXRFSM12N100-FT

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