casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXTA05N100HV
codice articolo del costruttore | IXTA05N100HV |
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Numero di parte futuro | FT-IXTA05N100HV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTA05N100HV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA05N100HV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXTA05N100HV-FT |
IXTV200N10TS
IXYS
IXTV200N10T
IXYS
IXTV110N25TS
IXYS
IXTT30N50L2
IXYS
IXTP270N04T4
IXYS
IXTK102N65X2
IXYS
IXTF280N055T
IXYS
IXTF250N075T
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IXTF230N085T
IXYS
IXTF200N10T
IXYS
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
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APA450-FG256
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A3P400-1FG256
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XC2V4000-4FFG1152I
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LFE2M20E-6FN256I
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
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EP3SE110F780C4L
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