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Infineon Technologies IRF7473TRPBF

Name: IRF7473TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7473TRPBF
Price: 0.526432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (720 reviews)

Numero parte MFG: IRF7473TRPBF

quantità disponibile: 52460 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.526432

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF7473TRPBF.pdf

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IRF7473TRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF7473TRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF7473TRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF7473TRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3180pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7473TRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF7473TRPBF-FT

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