casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSR316PL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSR316PL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSR316PL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSR316PL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 360mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 360mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 170µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC-59 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR316PL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSR316PL6327HTSA1-FT |
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60S5BKSA1
Infineon Technologies
SPP04N80C3XK
Infineon Technologies
SPP06N80C3XK
Infineon Technologies
SPP07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60S5
Infineon Technologies
SPP07N65C3HKSA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel