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Infineon Technologies BSR316PL6327HTSA1

Name: BSR316PL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSR316PL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (352 reviews)

Numero parte MFG: BSR316PL6327HTSA1

quantità disponibile: 20290 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSR316PL6327HTSA1.pdf

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BSR316PL6327HTSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BSR316PL6327HTSA1
Numero di parte futuro	FT-BSR316PL6327HTSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSR316PL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	360mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	165pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SC-59
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSR316PL6327HTSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSR316PL6327HTSA1-FT

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