casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSR202NL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSR202NL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSR202NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSR202NL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1147pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC-59 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR202NL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSR202NL6327HTSA1-FT |
SPP02N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60S5BKSA1
Infineon Technologies
SPP04N80C3XK
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation