casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSZ340N08NS3GATMA1
codice articolo del costruttore | BSZ340N08NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSZ340N08NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSZ340N08NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 23A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ340N08NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSZ340N08NS3GATMA1-FT |
SPP04N80C3XK
Infineon Technologies
SPP06N80C3XK
Infineon Technologies
SPP07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60S5
Infineon Technologies
SPP07N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP08N80C3XK
Infineon Technologies
SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP08P06PBKSA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel