casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7207PBF
codice articolo del costruttore | IRF7207PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7207PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7207PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7207PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7207PBF-FT |
BSO4822
Infineon Technologies
BSO4822T
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BSO613SPV
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IRF8252TRPBF-1
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IRL80HS120
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BSZ110N06NS3GATMA1
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BS7067N06LS3G
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BSZ042N04NSGATMA1
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XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
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XC2VP2-7FG456C
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A42MX16-PQ208M
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LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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5SGSED6K3F40C2N
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LFEC1E-4Q208C
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EP3C40F780C6N
Intel