casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6721STR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6721STR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6721STR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6721STR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1430pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ SQ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric SQ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6721STR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6721STR1PBF-FT |
IRF7779L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7799L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7799L2TRPBF
Infineon Technologies
AUIRF7640S2TR
Infineon Technologies
AUIRF7665S2TR
Infineon Technologies
IRF7665S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7665S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6619
Infineon Technologies
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
IRF6616TRPBF
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel