casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6717MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6717MTRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6717MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6717MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6750pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6717MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6717MTRPBF-FT |
IXTA08N100D2HV
IXYS
IXTA1N170DHV
IXYS
IXTA1R6N100D2HV
IXYS
IXTA3N100D2HV
IXYS
IXRFSM12N100
IXYS-RF
IXRFSM18N50
IXYS-RF
IRFBA1405PPBF
Infineon Technologies
IRFBA1404
Infineon Technologies
IRFBA1404P
Infineon Technologies
IRFBA1404PPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel