casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6616TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6616TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6616TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6616TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 106A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3765pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6616TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6616TRPBF-FT |
IXTA1N170DHV
IXYS
IXTA1R6N100D2HV
IXYS
IXTA3N100D2HV
IXYS
IXRFSM12N100
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IXRFSM18N50
IXYS-RF
IRFBA1405PPBF
Infineon Technologies
IRFBA1404
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IRFBA1404P
Infineon Technologies
IRFBA1404PPBF
Infineon Technologies
IRFBA1405P
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
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XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
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AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
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EP20K100EBI356-2X
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