casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6616TRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6616TRPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6616TRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6616TRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 106A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3765pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6616TRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6616TRPBF-FT |
IXTA1N170DHV
IXYS
IXTA1R6N100D2HV
IXYS
IXTA3N100D2HV
IXYS
IXRFSM12N100
IXYS-RF
IXRFSM18N50
IXYS-RF
IRFBA1405PPBF
Infineon Technologies
IRFBA1404
Infineon Technologies
IRFBA1404P
Infineon Technologies
IRFBA1404PPBF
Infineon Technologies
IRFBA1405P
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation