casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6714MTRPBF
codice articolo del costruttore | IRF6714MTRPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRF6714MTRPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6714MTRPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Ta), 166A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3890pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MX |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MX |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6714MTRPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6714MTRPBF-FT |
IRFBL3315
Infineon Technologies
IRFBL3703
Infineon Technologies
IRLBL1304
Infineon Technologies
IRL6283MTRPBF
Infineon Technologies
IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5104TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5104TRPBF
Infineon Technologies
IRFHM830DTR2PBF
Infineon Technologies
IRFHM830DTRPBF
Infineon Technologies
IRFHM830TR2PBF
Infineon Technologies
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel