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Infineon Technologies IRL6283MTRPBF

Numero parte MFG
IRL6283MTRPBF
quantità disponibile
56410 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRL6283MTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRL6283MTRPBF
Numero di parte futuro FT-IRL6283MTRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®, StrongIRFET™
IRL6283MTRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 211A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 158nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8292pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 63W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MD
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric MD
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6283MTRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRL6283MTRPBF-FT

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