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Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF

Name: IRFHM830DTR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM830DTR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (250 reviews)

Numero parte MFG: IRFHM830DTR2PBF

quantità disponibile: 19370 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFHM830DTR2PBF.pdf

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IRFHM830DTR2PBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFHM830DTR2PBF
Numero di parte futuro	FT-IRFHM830DTR2PBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFHM830DTR2PBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1797pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PQFN (3x3)
Pacchetto / caso	8-VQFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830DTR2PBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFHM830DTR2PBF-FT

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