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Infineon Technologies IRFBL3703

Name: IRFBL3703
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFBL3703
Availability: InStock
Rating: 4.9 (791 reviews)

Numero parte MFG: IRFBL3703

quantità disponibile: 90210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRFBL3703.pdf

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IRFBL3703 specificazioni

codice articolo del costruttore	IRFBL3703
Numero di parte futuro	FT-IRFBL3703
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRFBL3703 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	260A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	209nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8250pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SUPER D2-PAK
Pacchetto / caso	Super D2-Pak
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFBL3703 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRFBL3703-FT

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