casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFBL3703
codice articolo del costruttore | IRFBL3703 |
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Numero di parte futuro | FT-IRFBL3703 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFBL3703 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 76A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 209nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8250pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SUPER D2-PAK |
Pacchetto / caso | Super D2-Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBL3703 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFBL3703-FT |
IXFT220N20X3HV
IXYS
IXFT120N30X3HV
IXYS
IXFT140N20X3HV
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IXFT100N30X3HV
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IXFT180N20X3HV
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IXFQ120N25X3
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IXFP60N25X3M
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IXFP14N85XM
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IXFP4N85XM
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IXFP14N85X
IXYS