casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF6713STR1PBF
codice articolo del costruttore | IRF6713STR1PBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRF6713STR1PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6713STR1PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 95A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ SQ |
Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric SQ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6713STR1PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF6713STR1PBF-FT |
IRF7759L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7769L2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF7779L2TR1PBF
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M2GL025T-1VFG256I
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